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由于半导体泵浦的转换效率高，模式好，更易聚焦出高能量的更小面积的光点，标记同样的物体时，其所需的外部能量会更小。同时其产生的废热也远远小于灯泵浦激光器，决定了其不需要灯泵浦激光器那样庞大的冷却系统。所以半导体泵浦的激光器系统的功耗比灯泵浦小得多。
“冷加工”具有很高负荷能量的（紫外）光子，能够打断材料（特别是有机材料）或周围介质内的化学键，至使材料发生非热过程破坏。这种冷加工在激光标记加工中具有特殊的意义，因为它不是热烧蚀，而是不产生"热损伤"副作用的、打断化学键的冷剥离，因而对被加工表面的里层和附近区域不产生加热或热变形等作用。例如，电子工业中使用准分子激光器在基底材料上沉积化学物质薄膜，在半导体基片上开出狭窄的槽。
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防止激光晶体及LD 腔面结露
禁止激光器系统在高湿度环境下工作，客户应确保环境湿度小于60%。当激光晶体温度与环境温度温差过大（大于10 度），将可能导致激光晶体结露，结露将导致激光器系统功率下降或损坏。因此当环境温度远大于水箱设定温度（大于10 度以上）时，严禁激光器系统处于单开水冷机而激光头不工作的状态。在此状态下，建议采用以下步骤进行操作：
在开机时，先打开冷水机，待制冷机温度显示低于30℃，启动电源并将电流缓慢调节至10A 左右；待制冷机温度显示在工作温度（18℃左右）时，再缓慢的将电流调节至工作电流（35A 左右）。
在关机时，先将电流缓慢的降至10A 左右并停止电源输出，关闭电源，再尽快关水冷机。如果不在 电流处工作，可以适当调高制冷机制冷温度（但不得高于25℃）务必在规定的环境内使用激光器系统设备（南方操作环境应加装空调）。
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